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SI5406CDC-T1-GE3中文资料

SI5406CDC-T1-GE3图片

SI5406CDC-T1-GE3外观图

  • 大小:251KB
  • 厂家:
  • 描述:MOSFET N-CH 12V 6A 1206-8
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss):12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:20 毫欧 @ 6.5A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:32nC @ 8V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:1100pF @ 6V
  • 功率 - 最大:5.7W
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SMD,扁平引线
  • 供应商设备封装:1206-8 ChipFET?
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:SI5406CDC-T1-GE3TR

SI5406CDC-T1-GE3供应商

更新时间:2023-01-04 14:06:40
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